10ETF12

更新时间： 2024-02-04 18:40:19

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描述
FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

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10ETF12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AC	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.29	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	FAST SOFT RECOVERY HIGH POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.33 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	185 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
最大反向恢复时间：	0.31 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

10ETF12 数据手册

10ETF.. QUIETIR Series

I2146 rev. A 11/99

Voltage Ratings

V_RRM, maximum

peak reverse voltage

V_RSM, maximum non repetitive

I_RRM

150°C

Part Number

peak reverse voltage

10ETF10

10ETF12

1000

1200

1100

1300

Absolute Maximum Ratings

Parameters

10ETF..

Units

Conditions

I_F(AV)Max.AverageForwardCurrent

@T_C=125°C,180°conductionhalfsinewave

I_FSMMax.PeakOneCycleNon-Repetitive

SurgeCurrent

160

185

128

180

1800

10msSinepulse,ratedV_RRMapplied

10msSine pulse,novoltagereapplied

10msSinepulse,ratedV_RRMapplied

10msSinepulse,novoltagereapplied

t=0.1to10ms,novoltagereapplied

I²t

Max.I²tforfusing

A²s

I²√t Max.I²√tforfusing

A²√s

Electrical Specifications

Parameters

10ETF..

1.33

Units

Conditions

V_FMMax. Forward Voltage Drop

@ 10A, T_J= 25°C

r_t

Forward slope resistance

22.9

0.96

0.1

mΩ

T_J= 150°C

V_F(TO)Threshold voltage

I_RMMax. Reverse Leakage Current

T_J= 25 °C

V_R= rated V_RRM

T_J= 150 °C

Recovery Characteristics

Parameters

10ETF.. Units

Conditions

I_F@ 10Apk

@ 25A/ µs

t_rr

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Current

Reverse Recovery Charge

Typical Snap Factor

310

4.7

I_rr

Q_rr

1.05

0.6

µC

@ 25°C

123 4 5 6 7

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