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10ETF02S

更新时间： 2024-02-28 15:14:17

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
7页	177K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, HALOGEN FREE, SMD-220, D2PAK-3

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技术参数
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10ETF02S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AC	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.31	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	FAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.145 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

10ETF02S 数据手册

10ETF..S Soft Recovery Series

Fast Soft Recovery

Rectifier Diode, 10 A

Vishay High Power Products

100

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

10ETF..S Series

T_J= 25 °C

10ETF..S Series

I_FM= 20 A

I_FM= 10 A

T_J= 150 °C

T_J= 25 °C

I_FM= 5 A

I_FM= 2 A

I_FM= 1 A

160 200

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

120

Instantaneous Forward Voltage (V)

dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)

Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics

Fig. 10 - Recovery Charge Characteristics, T_J= 25 °C

0.20

0.15

0.10

0.05

2.5

10ETF..S Series

I_FM= 20 A

T_J= 150 °C

2.0

I_FM= 20 A

I_FM= 10 A

I_FM= 5 A

I_FM= 10 A

1.5

I_FM= 5 A

1.0

I_FM= 2 A

0.5

10ETF..S Series

T_J= 25 °C

I_FM= 1 A

120

160

200

120

160

200

dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)

Fig. 8 - Recovery Time Characteristics, T_J= 25 °C

dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)

Fig. 11 - Recovery Charge Characteristics, T_J= 150 °C

0.4

10ETF..S Series

T_J= 150 °C

10ETF..S Series

I_FM= 20 A

T_J= 25 °C

I_FM= 10 A

0.3

0.2

0.1

I_FM= 5 A

I_FM= 2 A

I_FM= 20 A

I_FM= 10 A

I_FM= 5 A

I_FM= 1 A

I_FM= 2 A

I_FM= 1 A

120

160

200

120

160

200

dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)

Fig. 9 - Recovery Time Characteristics, T_J= 150 °C

dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)

Fig. 12 - Recovery Current Characteristics, T_J= 25 °C

www.vishay.com

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

Document Number: 93134

Revision: 22-Oct-08

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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