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100JB60L

更新时间： 2024-01-20 23:34:11

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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6页	64K
描述
Bridge Rectifier Diode, 10A, 6000V V(RRM),

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技术参数
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100JB60L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.86
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	最大非重复峰值正向电流：	130 A
元件数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	10 A	最大重复峰值反向电压：	6000 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

100JB60L 数据手册

MB & JB Series

Bulletin I2715 rev. E 08/97

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Voltage Ratings

Voltage

Code

V_RRM, maximum repetitive

V_RSM, maximum non-

I_RRMmax.

Typenumber

peak reverse voltage

repetitive peak rev. voltage

@ T_Jmax.

100

150

100JB..L

26MB..A

250JB..L

36MB..A

35MB..A

200

275

400

500

600

725

800

900

100

120

140

160

1000

1200

1400

1600

1100

1300

1500

1700

Forward Conduction

Parameters

100JB-L 26MB-A 36MB-A Units Conditions

250JB-L 35MB-A

I_O

Maximum DC output current

Resistive or inductive load

Capacitive load

@ Case temperature

°C

I_FSM

Maximum peak, one-cycle

non-repetitive forward current

148

155

125

130

110

400

420

335

350

790

475

500

400

420

1130

t = 10ms No voltage

t = 8.3ms reapplied

t = 10ms 100% V_RRM

t = 8.3ms reapplied

t = 10ms No voltage

t = 8.3ms reapplied

t = 10ms 100% V_RRM

t = 8.3ms reapplied

Initial T_J= T_Jmax.

I²t

Maximum I²t for fusing

A²s

100

725

560

512

5.6

1030

800

730

I²√t

Maximum I²√t for fusing

1.1

11.3 KA²√s I²tfortimet_x=I²√t x√t_x;

0.1≤t_x≤ 10ms,V_RRM= 0V

V_F(TO)1Low-level of threshold voltage

V_F(TO)2High-level of threshold voltage

1.00

1.17

15.4

0.76

0.92

6.8

0.79

0.96

5.8

(16.7% xπ x I_F(AV)< I <π x I_F(AV)), @T_Jmax.

(I >π x I_F(AV)), @ T_Jmax.

r_t1

Low-level forward slope resistance

mΩ

(16.7% xπ x I_F(AV)< I <π x I_F(AV)), @T_Jmax.

(I >π x I_F(AV)), @ T_Jmax.

r_t2

High-level forward slope resistance 10.8

5.0

4.5

V_FM

I_RRM

V_INS

Maximum forward voltage drop

Max. DC reverse current

1.3

1.11

1.14

µA

T_J= 25^oC, I =I

xπ, tp = 400µs

FM Favg (arm)

T_J= 25^oC, per diode at V_RRM

f = 50 Hz, t = 1s

RMS isolation voltage base plate

2700

www.irf.com

123 4 5 6

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