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100307QIX

更新时间： 2024-02-11 06:47:52
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 逻辑集成电路石英晶振栅
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
XOR/XNOR and XOR-OR Gate

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100307QIX 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：QFF, QFL24,.4SQReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.85Is Samacsys：N
JESD-30 代码：S-XQFP-F24JESD-609代码：e0
端子数量：24最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC
封装代码：QFF封装等效代码：QFL24,.4SQ
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
电源：-4.5 V最大电源电流（ICC）：75 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup：2.4 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO筛选级别：38535V;38534K;883S
子类别：Gates表面贴装：YES
技术：ECL100K温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
Base Number Matches：1

100307QIX 数据手册

 浏览型号100307QIX的Datasheet PDF文件第1页浏览型号100307QIX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号100307QIX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号100307QIX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号100307QIX的Datasheet PDF文件第6页 
Absolute Maximum Ratings(Note 1)  
Recommended Operating  
Conditions  
Storage Temperature (TSTG  
Maximum Junction Temperature (TJ)  
EE Pin Potential to Ground Pin  
)
−65°C to +150°C  
+150°C  
Case Temperature (TC)  
Commercial  
V
−7.0V to +0.5V  
VEE to +0.5V  
−50 mA  
0°C to +85°C  
−40°C to +85°C  
−5.7V to −4.2V  
Input Voltage (DC)  
Industrial  
Output Current (DC Output HIGH)  
ESD (Note 2)  
Supply Voltage (VEE  
)
≥2000V  
Note 1: The “Absolute Maximum Ratings” are those values beyond which  
the safety of the device cannot be guaranteed. The device should not be  
operated at these limits. the parametric values defined in the Electrical  
Characteristics tables are not guaranteed at the absolute maximum rating.  
The “Recommended Operating Conditions” table will define the conditions  
for actual device operation.  
Note 2: ESD testing conforms to MIL-STD-883, Method 3015.  
Commercial Version  
DC Electrical Characteristics (Note 3)  
VEE = −4.2V to −5.7V, VCC = VCCA = GND, TC = 0°C to +85°C  
Symbol  
Parameter  
Output HIGH Voltage  
Output LOW Voltage  
Output HIGH Voltage  
Output LOW Voltage  
Input HIGH Voltage  
Min  
Typ  
−955  
−1705  
Max  
−870  
Units  
mV  
Conditions  
Loading with  
VOH  
−1025  
−1830  
−1035  
V
IN =VIH (Max)  
or VIL (Min)  
IN = VIH (Min)  
VOL  
−1620  
mV  
50Ω to −2.0V  
Loading with  
50Ω to −2.0V  
VOHC  
VOLC  
VIH  
mV  
V
−1610  
−870  
mV  
or VIL (Max)  
−1165  
−1830  
0.50  
mV  
Guaranteed HIGH Signal  
for All Inputs  
VIL  
Input LOW Voltage  
−1475  
mV  
µA  
µA  
mA  
Guaranteed LOW Signal  
for All Inputs  
IIL  
Input LOW Current  
Input HIGH Current  
D2a–D2e  
VIN = VIL (Min)  
IIH  
250  
350  
−30  
VIN = VIH (Max)  
D1a–D1e  
IEE  
Power Supply Current  
−69  
−43  
Inputs Open  
Note 3: The specified limits represent the “worst case” value for the parameter. Since these values normally occur at the temperature extremes, additional  
noise immunity and guardbanding can be achieved by decreasing the allowable system operating ranges. Conditions for testing shown in the tables are cho-  
sen to guarantee operation under “worst case” conditions.  
DIP AC Electrical Characteristics  
VEE = −4.2V to −5.7V, VCC = VCCA = GND  
T
C = 0°C  
T
C = +25°C  
TC = +85°C  
Symbol  
Parameter  
Units  
ns  
Conditions  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
tPLH  
Propagation Delay  
D2a–D2e to O, O  
Propagation Delay  
D1a–D1e to O, O  
Propagation Delay  
Data to F  
0.55  
0.55  
1.15  
0.35  
1.90  
1.70  
2.75  
1.20  
0.55  
1.80  
0.55  
1.90  
tPHL  
tPLH  
tPHL  
tPLH  
tPHL  
tTLH  
tTHL  
0.55  
1.15  
0.35  
1.60  
2.75  
1.20  
0.55  
1.15  
0.35  
1.70  
3.00  
1.20  
ns  
Figures 1, 2  
ns  
Transition Time  
ns  
20% to 80%, 80% to 20%  
www.fairchildsemi.com  
2
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