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1.5SMC6.8ATG

更新时间： 2024-02-04 22:33:30
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 142K
描述
1500 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

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1.5SMC6.8ATG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：DO-214AB
包装说明：R-PDSO-J2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.15
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：7.14 V最小击穿电压：6.45 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AB
JESD-30 代码：R-PDSO-J2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：BIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：5.8 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：J BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1.5SMC6.8ATG 数据手册

 浏览型号1.5SMC6.8ATG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1.5SMC6.8ATG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1.5SMC6.8ATG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1.5SMC6.8ATG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1.5SMC6.8ATG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1.5SMC6.8ATG的Datasheet PDF文件第7页 
1.5SMC6.8AT3 Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices.)  
Breakdown Voltage  
V (Note 7)  
V
@ I (Note 8)  
C
PP  
V
RWM  
V
@ I  
V
I
PP  
(Note 6)  
I
R
@ V  
QV  
BR  
BR  
T
C
RWM  
Device  
V
mA  
Min  
Nom  
Max  
mA  
V
A
%/5C  
0.057  
0.061  
0.065  
0.068  
Marking  
Device*  
1.5SMC6.8AT3, G  
1.5SMC7.5AT3, G  
1.5SMC8.2AT3, G  
1.5SMC9.1AT3  
6V8A  
7V5A  
8V2A  
9V1A  
5.8  
6.4  
7.02  
7.78  
1000  
500  
200  
50  
6.45  
7.13  
7.79  
8.65  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
7.14  
7.88  
8.61  
9.55  
10  
10  
10  
1
10.5  
11.3  
12.1  
13.4  
143  
132  
124  
112  
1.5SMC10AT3  
1.5SMC11AT3  
1.5SMC12AT3, G  
1.5SMC13AT3, G  
10A  
11A  
12A  
13A  
8.55  
9.4  
10.2  
11.1  
10  
5
5
9.5  
10  
11  
12  
13  
10.5  
11.6  
12.6  
13.7  
1
1
1
1
14.5  
15.6  
16.7  
18.2  
103  
96  
90  
0.073  
0.075  
0.078  
0.081  
10.5  
11.4  
12.4  
5
82  
1.5SMC15AT3, G  
1.5SMC16AT3, G  
1.5SMC18AT3, G  
1.5SMC20AT3, G  
15A  
16A  
18A  
20A  
12.8  
13.6  
15.3  
17.1  
5
5
5
5
14.3  
15.2  
17.1  
19  
15  
16  
18  
20  
15.8  
16.8  
18.9  
21  
1
1
1
1
21.2  
22.5  
25.2  
27.7  
71  
67  
59.5  
54  
0.084  
0.086  
0.088  
0.09  
1.5SMC22AT3, G  
1.5SMC24AT3, G  
1.5SMC27AT3, G  
1.5SMC30AT3, G  
22A  
24A  
27A  
30A  
18.8  
20.5  
23.1  
25.6  
5
5
5
5
20.9  
22.8  
25.7  
28.5  
22  
24  
27  
30  
23.1  
25.2  
28.4  
31.5  
1
1
1
1
30.6  
33.2  
37.5  
41.4  
49  
45  
40  
36  
0.092  
0.094  
0.096  
0.097  
1.5SMC33AT3, G  
1.5SMC36AT3, G  
1.5SMC39AT3, G  
1.5SMC43AT3, G  
33A  
36A  
39A  
43A  
28.2  
30.8  
33.3  
36.8  
5
5
5
5
31.4  
34.2  
37.1  
40.9  
33  
36  
39  
43  
34.7  
37.8  
41  
1
1
1
1
45.7  
49.9  
53.9  
59.3  
33  
30  
28  
0.098  
0.099  
0.1  
45.2  
25.3  
0.101  
1.5SMC47AT3, G  
1.5SMC51AT3, G  
1.5SMC56AT3, G  
1.5SMC62AT3, G  
47A  
51A  
56A  
62A  
40.2  
43.6  
47.8  
53  
5
5
5
5
44.7  
48.5  
53.2  
58.9  
47  
51  
56  
62  
49.4  
53.6  
58.8  
65.1  
1
1
1
1
64.8  
70.1  
77  
23.2  
21.4  
19.5  
17.7  
0.101  
0.102  
0.103  
0.104  
85  
1.5SMC68AT3, G  
1.5SMC75AT3, G  
1.5SMC82AT3, G  
1.5SMC91AT3, G  
68A  
75A  
82A  
91A  
58.1  
64.1  
70.1  
77.8  
5
5
5
5
64.6  
71.3  
77.9  
86.5  
68  
75  
82  
91  
71.4  
78.8  
86.1  
95.5  
1
1
1
1
92  
16.3  
14.6  
13.3  
12  
0.104  
0.105  
0.105  
0.106  
103  
113  
125  
Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices. Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value.  
6. A transient suppressor is normally selected according to the working peak reverse voltage (V  
the DC or continuous peak operating voltage level.  
), which should be equal to or greater than  
RWM  
7. V measured at pulse test current I at an ambient temperature of 25°C.  
BR  
T
8. Surge current waveform per Figure 2 and derate per Figure 3 of the General Data − 1500 Watt at the beginning of this group.  
* The “G” suffix indicates Pb−Free package available.  
http://onsemi.com  
3
 
1234567

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