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1.5KE62A-RL

更新时间: 2024-01-22 22:43:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 207K
描述
1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

1.5KE62A-RL 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5其他特性:UL RECOGNIZED
最大击穿电压:68.2 V最小击穿电压:55.8 V
击穿电压标称值:62 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:89 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50.2 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1.5KE62A-RL 数据手册

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1.5KExx  
Fig. 2 : Peak pulse power versus exponential pulse duration.  
Fig. 3 : Clamping voltage versus peak pulse current.  
Exponential waveform: tp = 20 µs________  
tp = 1 ms——————-  
tp = 10 ms ...............  
Note : The curves of the figure 3 are specified for a junction temperature of 25°C before surge.  
The given results may be extrapolated for other junction temperatures by using the following formula :  
VBR = αT* (Tamb -25) * VBR(25°C).  
For intermediate voltages, extrapolate the given results.  
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