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1.5KE220A

更新时间: 2024-01-16 12:23:48
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
6页 207K
描述
TRANSILTM

1.5KE220A 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, CB429, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.03
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
最大击穿电压:242 V最小击穿电压:209 V
击穿电压标称值:220 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:388 V配置:SINGLE
最小二极管电容:625 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:5 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1.5KE220A 数据手册

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1.5KExx  
Fig. 2 : Peak pulse power versus exponential pulse duration.  
Fig. 3 : Clamping voltage versus peak pulse current.  
Exponential waveform: tp = 20 µs________  
tp = 1 ms——————-  
tp = 10 ms ...............  
Note : The curves of the figure 3 are specified for a junction temperature of 25°C before surge.  
The given results may be extrapolated for other junction temperatures by using the following formula :  
VBR = αT* (Tamb -25) * VBR(25°C).  
For intermediate voltages, extrapolate the given results.  
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