Datasheet > 1.4KESD9.0E3TR

1.4KESD9.0E3TR

更新时间： 2024-01-14 22:01:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SELAD, GLASS, DO-35, 2 PIN

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1.4KESD9.0E3TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW CAPACITANCE
最小击穿电压：	10 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AH
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值反向功率耗散：	1400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	9 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1.4KESD5.0 thru 1.4KESD170CA, e3

AXIAL-LEAD TVS

S C O T T S D A L E D I V I S I O N

Breakdown Voltage V_(BR)in Volts

FIGURE 4

FIGURE 2

Capacitance vs. V_(BR)for unidirectional.

Clamping Factor vs. Breakdown Voltage for Various Power Levels

For Bidirectional, value is one-half that

shown at zero volts.

PACKAGE DIMENSIONS

DO-35

3-29-2006 REV B

Microsemi

Page 4

Scottsdale Division

8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503

1 2 34

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1.4KESD9.0TR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2	获取价格
1.4KESD9.0TRE3	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 9V V(RWM), Unidirectional,	获取价格
1.4KESD90	MICROSEMI	AXIAL-LEAD TVS	获取价格
1.4KESD90A	MICROSEMI	AXIAL-LEAD TVS	获取价格
1.4KESD90AE3	MICROSEMI	AXIAL-LEAD TVS	获取价格
1.4KESD90AE3TR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 90V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格