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1.4KESD120CE3

更新时间： 2024-02-17 06:18:30

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美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	173K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 120V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SELAD, GLASS, DO-35, 2 PIN

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1.4KESD120CE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.53
其他特性：	LOW CAPACITANCE	最小击穿电压：	133 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AH	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	1400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	120 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1.4KESD5.0 thru 1.4KESD170CA, e3

AXIAL-LEAD TVS

S C O T T S D A L E D I V I S I O N

Breakdown Voltage V_(BR)in Volts

FIGURE 4

FIGURE 2

Capacitance vs. V_(BR)for unidirectional.

Clamping Factor vs. Breakdown Voltage for Various Power Levels

For Bidirectional, value is one-half that

shown at zero volts.

PACKAGE DIMENSIONS

DO-35

3-29-2006 REV B

Microsemi

Page 4

Scottsdale Division

8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1.4KESD120CE3TR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 120V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格
1.4KESD120CTR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 120V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-	获取价格
1.4KESD120CTRE3	MICROSEMI	暂无描述	获取价格
1.4KESD120E3	MICROSEMI	AXIAL-LEAD TVS	获取价格
1.4KESD120E3TR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO	获取价格
1.4KESD120TR	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1400W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO	获取价格