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01N30

更新时间： 2023-12-06 20:08:38

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01N30 数据手册

01N30

Power MOSFET



TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

P. W.

Period

V_GS

(Driver)

Period

P.W.

10V

V_GS

I_FM, Body Diode Forward Current

I_SD

(D.U.T.)

di/dt

I_RM

Body Diode Reverse Current

Body Diode Recovery dv/dt

V_DS

V_DD

(D.U.T.)

Body Diode

Forward Voltage Drop

Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 5

QW-R205-357.B

www.unisonic.com.tw

1 234 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
01N45	UTC	N-CH	获取价格
01NEC066V3	SEMIKRON	1-phase bridge rectifier	获取价格
01P-LEBSS-TF	JST	考虑到LED器件的发光特性，该LEB连接器设计为LED照明用的低型面型连接器（高度：2.7	获取价格
01P-LELSS-GA-TF(HF)	JST	考虑到LED封装的发光特性，将该LEL连接器设计为LED照明用的低背型连接器，达到了节省空	获取价格
01P-MWPV-SSR	JST	端子的低插入力可减少表面光洁度磨损，减少应力松弛的影响。塑壳锁扣方式*内部外壳锁将插头	获取价格
01P-WPKH-KN	JST	这种连接器结构高密度，防水性和耐用性都很好。这种连接器可用于需要特别防水的部位。其防水等级	获取价格