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ZXTP5401GTA

更新时间: 2024-09-25 07:42:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管高压放大器
页数 文件大小 规格书
8页 239K
描述
150V, SOT223, PNP High voltage transistor

ZXTP5401GTA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-261AA
包装说明:TO-261AA, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks风险等级:1.22
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:150 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-261AAJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

ZXTP5401GTA 数据手册

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ZXTP5401G  
150V, SOT223, PNP High voltage transistor  
Summary  
BV  
BV  
> -150V  
> -5V  
CEO  
EBO  
I
= -600mA  
C(cont)  
P = 2W  
D
Complementary part number ZXTN5551G  
Description  
C
E
A high voltage PNP transistor in a surface mount package  
Features  
B
150V rating  
SOT223 package  
Applications  
E
C
B
High voltage amplification  
C
Ordering information  
Device  
Reel size  
(inches)  
Tape width  
(mm)  
Quantity per  
reel  
Pinout - top view  
ZXTP5401GTA  
ZXTP5401GTC  
7
12  
12  
1000  
4000  
13  
Device marking  
ZXTP  
5401  
Issue 1 - August 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
1
www.zetex.com  

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