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ZXTP19020DGTA

更新时间: 2024-11-07 07:42:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 333K
描述
20V PNP high gain transistor in SOT223

ZXTP19020DGTA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-223
包装说明:SOT-223, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.19外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):45
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):10.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):176 MHz
Base Number Matches:1

ZXTP19020DGTA 数据手册

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ZXTP19020DG  
20V PNP high gain transistor in SOT223  
Summary  
BV  
BV  
> -20V  
CEO  
ECO  
> -4V  
I
= 8A  
C(cont)  
V
< -47mV @ -1A  
= 28m  
CE(sat)  
CE(sat)  
R
P = 3.0W  
D
Complementary part number ZXTN19020DG  
Description  
C
E
Packaged in the SOT223 outline this new low saturation PNP transistor  
offers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC  
circuits and various driving and power management functions.  
B
Features  
Higher power dissipation SOT223 package  
High gain  
High peak current  
Low saturation voltages  
4V reverse blocking voltage  
Applications  
E
C
B
Power disconnect switch  
High side drivers  
Motor drive  
C
Ordering information  
Pinout - top view  
Device  
Reel size  
(inches)  
Tape width  
(mm)  
Quantity  
per reel  
ZXTP19020DGTA  
7
12  
1000  
Device marking  
ZXTP19020D  
Issue 1- February 2008  
© Zetex Semiconductors plc 2008  
1
www.zetex.com  

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