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ZXTP19020DFFTA

更新时间： 2024-09-24 07:42:23

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	494K
描述
20V, SOT23F, PNP medium power transistor

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ZXTP19020DFFTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23F
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.31
最大集电极电流 (IC)：	5.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	176 MHz
Base Number Matches：	1

ZXTP19020DFFTA 数据手册

ZXTP19020DFF

20V, SOT23F, PNP m edium pow er transistor

Sum m ary

> -20V

CEO

ECO

> -4V

= 5.5A

C(cont)

< 44m V @ 1A

= 26m Ω

CE(sat)

= 1.5W

Com plem entary part num ber: ZXTN19020DFF

Description

Advanced process capability and package design have been used to

m axim ize the power handling and perform ance of this sm all outline

transistor. The com pact size and ratings of this device m ake it ideally

suited to applications where space is at a prem ium

Features

•

High power dissipation SOT23 package

15A peak current

Guaranteed gain at a collector current of 10A

Very low saturation voltage

Applications

•

MOSFET and IGBT gate driving

Power switches

Motor control

Ordering inform ation

Device

Reel size

(inches)

Tape w idth

Quantity per

reel

ZXTP19020DFFTA

3000

Device m arking

1D8

Pinout - top view

Issue 1 - Septem ber 2007

w w w.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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