Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZXMP4A16GTC

ZXMP4A16GTC

更新时间： 2024-11-06 07:42:31

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美台 - DIODES		/
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7页	269K
描述
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP4A16GTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.6 A
最大漏极电流 (ID)：	4.6 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.9 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMP4A16GTC 数据手册

ZXMP4A16G

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= -40V: R

= 0.060 : I = -6.4A

DS(on) D

DESCRIPTION

This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management

applications.

SOT223

FEATURES

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT223 package

APPLICATIONS

DC-DC Converters

Disconnect switches

Audio output stages

Motor Control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTC

7”

12mm

1000 units

4000 units

13”

Top View

DEVICE MARKING

· ZXMP

4A16

ISSUE 4 - J ULY 2003

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7

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