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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 1.38 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 265745 |
| Samacsys Pin Count： | 4 | Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) |
| Samacsys Package Category： | SOT223 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name： | AP02002 |
| Samacsys Released Date： | 2018-08-30 11:23:45 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.06 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3.9 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMP4A16GTC | DIODES |
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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP4A16GTC | ZETEX |
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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP4A16K | ZETEX |
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40V P-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMP4A16K | DIODES |
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40V P-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMP4A16K_06 | ZETEX |
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40V P-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMP4A16KTC | ZETEX |
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40V P-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMP4A16KTC | DIODES |
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40V P-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMP4A57E6 | DIODES |
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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP4A57E6_15 | DIODES |
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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP4A57E6QTA | DIODES |
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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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