ZXMN6A11GC

更新时间： 2024-10-14 12:58:59

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捷特科 - ZETEX		/
页数	文件大小	规格书
7页	1026K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT223, 6 PIN

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ZXMN6A11GC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT223, 6 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.22
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	3.8 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN6A11GC 数据手册

ZXMN6A11G

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= 60V; R

= 0.14 I = 3.8A

DS(ON) D

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilises a unique structure

that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

makesthemidealforhighefficiency, lowvoltage, powermanagement applications.

FEATURES

SOT223

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT223 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Relay and Solenoid driving

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN6A11GFTA

ZXMN6A11GFTC

7”

12mm

1000 units

4000 units

13”

DEVICE MARKING

•

ZXMN

6A11

Top View

ISSUE 1 - MARCH 2002

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZXMN6A11GTA	DIODES	获取价格	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A11GTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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