ZXMN6A09GTC

更新时间： 2024-10-13 22:25:59

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	195K
描述
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN6A09GTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LOW PROFILE SOIC-4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN6A09GTC 数据手册

ZXMN6A09G

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= 60V; R

= 0.045

I = 5.1A

DS(ON)

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent applications.

FEATURES

SOT223

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Managem ent Functions

Relay and Solenoid driving

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTC

7”

12m m

1000 units

4000 units

13”

DEVICE MARKING

•

ZXMN

6A09

Top View

PROVISIONAL ISSUE D - SEPTEMBER 2003

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7

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