ZXMN6A08GTC

更新时间： 2024-10-14 07:42:31

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8页	443K
描述
60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMN6A08GTC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-261AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	3.8 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN6A08GTC 数据手册

ZXMN6A08G

60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET

Summary

(⍀)

I (A)

(BR)DSS

DS(on)

0.080 @ V

= 10V

5.3

2.8

0.150 @ V

= 4.5V

Description

This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique

structure combining the benefits of low on-resistance and fast

switching, making it ideal for high efficiency power management

applications.

Features

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT223 package

Applications

•

DC-DC converters

Power management functions

Disconnect switches

Motor control

Ordering information

Pinout - top view

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity per

reel

ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTC

1,000

4,000

Device marking

ZXMN

6A08

Issue 1 - May 2006

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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