ZXMN3B04N8

更新时间： 2025-03-21 07:42:31

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美台 - DIODES		晶体栅极晶体管开关光电二极管栅极驱动
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描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE

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ZXMN3B04N8 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.22	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	7.6 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN3B04N8 数据手册

ZXMN3B04N8

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE

SUMMARY

=30V : R

(

)=0.025 ; I = 8.9A

(BR)DSS

DS on D

DESCRIPTION

This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique

structure that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power

m anagem ent applications.

SO8

FEATURES

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• Low profile SOIC package

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• Power m anagem ent functions

• Disconnect switches

• Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN3B04N8TA

7”

12m m

500 units

ZXMN3B04N8TC

13”

2500 units

Top View

DEVICE MARKING

• ZXMN

3B04

ISSUE 2 - MAY 2004

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7

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