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ZXMN2F30FHTA

更新时间： 2024-10-14 03:47:35

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
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8页	409K
描述
20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMN2F30FHTA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	4.1 A	最大漏源导通电阻：	0.045 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN2F30FHTA 数据手册

ZXMN2F30FH

20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET

Summary

(Ω)

I (A)

(BR)DSS

DS(on)

0.045 @ V = 4.5V

4.9

4.1

0.065 @ V = 2.5V

Description

This new generation Trench MOSFET from Zetex features low on-

resistance achievable with low (2.5V) gate drive.

Features

•

Low on-resistance

2.5V gate drive capability

SOT23 package

Applications

•

Buck/Boost DC-DC Converters

Load switching and SMPS

Charging applications in portable equipment

Motor Control

LED Lighting

Ordering information

DEVICE

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity

per reel

ZXMN2F30FHTA

3000

Device marking

KNC

Top view

Issue 1 - January 2008

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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