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ZXMN10B08E6TA

更新时间： 2024-01-29 10:43:28

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN10B08E6TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-23, 6 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	1.6 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN10B08E6TA 数据手册

ZXMN10B08E6

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

= 100V; R

= 0.230 I = 1.9A

DS(ON) D

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management

applications.

SOT23-6

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT23-6 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Disconnect switches

Motor control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TC

7”

8mm

3000 units

13”

10000 units

DEVICE MARKING

Top View

•

10B8

PROVISIONAL ISSUE B - MAY 2003

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7

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