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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 0.82 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 441755 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name： | SOT23-ZXMN10A07FTA |
| Samacsys Released Date： | 2017-05-24 11:05:00 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.56 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.806 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMN10A07FTC | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A07FTC | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A07Z | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A07Z | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| ZXMN10A07Z_04 | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A07ZTA | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A07ZTA | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A08 | ZETEX |
获取价格 |
100V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMN10A08DN8 | DIODES |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMN10A08DN8 | ZETEX |
获取价格 |
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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