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ZXMHC3A01N8

更新时间： 2024-01-20 15:01:50

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11页	721K
描述
30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge

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ZXMHC3A01N8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.62	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.72 A
最大漏极电流 (ID)：	2.17 A	最大漏源导通电阻：	0.125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	4	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMHC3A01N8 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

ZXMHC3A01N8

30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge

Summary

I_D

Device

V_(BR)DSS

Q_G

R_DS(on)

T_A= 25°C

125mΩ @ V_GS= 10V

180mΩ @ V_GS= 4.5V

210mΩ @ V_GS= -10V

330mΩ @ V_GS= -4.5V

2.7A

N-CH

30V

3.9nC

2.2A

-2.1A

-1.6A

P-CH

-30V

5.2nC

P1S/P2S

Description

This new generation complementary MOSFET H-Bridge

features low on-resistance achievable with low gate drive.

P1G

P2G

Features

P1D/N1D

P2D/N2D

•

2 x N + 2 x P channels in a SOIC package

Applications

N1G

N2G

•

DC Motor control

DC-AC Inverters

•

N1S/N2S

Ordering information

Device

Reel size Tape width Quantity

(inches)

(mm)

per reel

ZXMHC3A01N8TC

2,500

Device marking

ZXMHC

3A01

Issue 1.0 - March 2009

www.diodes.com

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZXMHC3A01N8TC	DIODES	获取价格	30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
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ZXMHC3A01T8	ZETEX	获取价格	COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
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