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ZXMHC10A07T8

更新时间： 2024-02-23 01:59:15

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描述
COMPLEMENTARY 100V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE

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ZXMHC10A07T8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	0.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMHC10A07T8 数据手册

ZXMHC10A07T8

COMPLEMENTARY 100V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE

SUMMARY

N-Channel = V_(BR)DSS= 100V : R_DS(on)= 0.7 ; I_D= 1.4A

P-Channel = V_(BR)DSS= -100V : R_DS(on)= 1.0 ; I_D= -1.3A

DESCRIPTION

This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that

combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes

them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

SM8

FEATURES

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

D , D

3 4

• Single SM-8 Surface Mount Package

APPLICATIONS

• Single Phase DC Fan Motor Drive

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMHC10A07T8TA

7”

12m m

1000 units

4000 units

ZXMHC10A07T8TC

13”

DEVICE MARKING

• ZXMH

C10A7

ISSUE 2 - J UNE 2005

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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ZXMHC10A07T8TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, S
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