5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZXMHC10A07N8TC
ZXMHC10A07N8TC PDF预览

ZXMHC10A07N8TC

更新时间： 2024-09-25 05:54:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 721K
描述
100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge

阅读下载

中文翻译

获取价格

ZXMHC10A07N8TC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：1.69
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：0.8 A
最大漏源导通电阻：0.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.36 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZXMHC10A07N8TC 数据手册

 浏览型号ZXMHC10A07N8TC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZXMHC10A07N8TC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ZXMHC10A07N8TC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ZXMHC10A07N8TC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ZXMHC10A07N8TC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ZXMHC10A07N8TC的Datasheet PDF文件第7页 
A Product Line of  
Diodes Incorporated  
ZXMHC10A07N8  
100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge  
Summary  
ID  
Device  
V(BR)DSS  
QG  
RDS(on)  
TA= 25°C  
0.70Ω @ VGS= 10V  
0.90Ω @ VGS= 6.0V  
1.00Ω @ VGS= -10V  
1.45Ω @ VGS= -6.0V  
1.0A  
N-CH  
100V  
2.9nC  
0.9A  
-0.9A  
-0.7A  
P-CH  
-100V  
3.5nC  
P1S/P2S  
Description  
This new generation complementary MOSFET H-Bridge  
features low on-resistance achievable with low gate drive.  
P1G  
P2G  
Features  
P1D/N1D  
P2D/N2D  
•
2 x N + 2 x P channels in a SOIC package  
Applications  
N1G  
N2G  
•
DC Motor control  
DC-AC Inverters  
•
N1S/N2S  
Ordering information  
Device  
Reel size Tape width Quantity  
(inches)  
(mm)  
per reel  
ZXMHC10A07N8TC  
13  
12  
2,500  
Device marking  
ZXMHC  
10A07  
Issue 1.0 - March 2009  
© Diodes Incorporated  
1
www.diodes.com  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

ZXMHC10A07N8TC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ZXMHC3F381N8TC DIODES

类似代替

 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
ZXMHC3A01N8TC DIODES

类似代替

 30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
DMG8601UFG-7 DIODES

功能相似

 DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

与ZXMHC10A07N8TC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZXMHC10A07T8 DIODES

获取价格

 		COMPLEMENTARY 100V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC10A07T8TA DIODES

获取价格

 		COMPLEMENTARY 100V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC10A07T8TC DIODES

获取价格

 		COMPLEMENTARY 100V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC10A07T8TC ZETEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, S
ZXMHC3A01N8 DIODES

获取价格

 		30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
ZXMHC3A01N8TC DIODES

获取价格

 		30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
ZXMHC3A01T8 DIODES

获取价格

 		COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC3A01T8 ZETEX

获取价格

 		COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC3A01T8TA ZETEX

获取价格

 		COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
ZXMHC3A01T8TA DIODES

获取价格

 		COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE

与ZXMHC10A07N8TC相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证