ZXMD63P03X

更新时间： 2025-01-16 07:42:35

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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7页	337K
描述
DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMD63P03X 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	1.2 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMD63P03X 数据手册

ZXMD63P03X

DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

_(BR)DSS=-30V; R_DS(ON)=0.185V; I_D=-2.0A

DESCRIPTION

This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

MSOP8

FEATURES

• Low on-resistance

N-channel

P-channel

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• Low profile SOIC package

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• Power management functions

• Disconnect switches

• Motor control

Pin-out

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REELSIZE

(inches)

TAPE WIDTH

(mm)

QUANTITY

PER REEL

ZXMD63P03XTA

ZXMD63P03XTC

12 embossed

1,000

4,000

Top view

DEVICE MARKING

ZXM63P03

ISSUE 1 - OCTOBER 2005

SEMICONDUCTORS

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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