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ZXM62N03E6TC

更新时间： 2024-02-04 07:05:36

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捷特科 - ZETEX		/
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7页	191K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXM62N03E6TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
其他特性：	LOW THRESHOLD	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	3.2 A
最大漏源导通电阻：	0.11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

ZXM62N03E6TC 数据手册

ZXM62N03E6

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

V_(BR)DSS=30V; R_DS(ON)=0.11⍀; I_D=3.2A

DESCRIPTION

This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilise a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power

management applications.

SOT23-6

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT23-6 package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH (mm)

QUANTITY

PER REEL

Top View

ZXM62N03E6TA

ZXM62N03E6TC

8mm embossed

3000 units

10000 units

DEVICE MARKING

•

2N03

PROVISIONAL ISSUE A - MAY 1999

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZXM62N03G	ZETEX	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
ZXM62N03G	DIODES	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
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