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ZVP3306DWP

更新时间: 2024-01-01 12:27:55
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美台 - DIODES 晶体管
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1页 32K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.030 X 0.030 INCH, G21, DIE-2

ZVP3306DWP 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, S-XUUC-N2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.22配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏源导通电阻:14 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:S-XUUC-N2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP峰值回流温度(摄氏度):235
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

ZVP3306DWP 数据手册

  

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