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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.08 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.09 A |
| 最大漏源导通电阻： | 14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 8 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVP3306DWP | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
|
| ZVP3306E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | DIP |
|
| ZVP3306F | DIODES |
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SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVP3306F | ZETEX |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVP3306FTA | TYSEMI |
获取价格 |
SOT-23 |
|
| ZVP3306FTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| ZVP3306FTC | DIODES |
获取价格 |
90mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| ZVP3310 | ZETEX |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVP3310A | DIODES |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVP3310A | ZETEX |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
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