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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVP3306ASMTC
ZVP3306ASMTC PDF预览

ZVP3306ASMTC

更新时间： 2024-09-26 13:16:15
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX /
页数 文件大小 规格书
3页 85K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZVP3306ASMTC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.07配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.16 A
最大漏源导通电阻：14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZVP3306ASMTC 数据手册

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P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 2 – MARCH 94  
ZVP3306A  
FEATURES  
*
*
60 Volt VDS  
RDS(on)=14Ω  
D
G
S
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
-60  
-160  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
mA  
A
IDM  
-1.6  
Gate Source Voltage  
VGS  
V
± 20  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
625  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
PARAMETER  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
BVDSS  
-60  
V
ID=-1mA, VGS=0V  
ID=-1mA, VDS= VGS  
VGS=± 20V, VDS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
-1.5  
-3.5  
20  
V
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
nA  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
-0.5  
-50  
VDS=-60 V, VGS=0  
µA  
µA  
VDS=-48 V, VGS=0V, T=125°C(2)  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
-400  
60  
mA  
VDS=-18 V, VGS=-10V  
VGS=-10V,ID=-200mA  
Static Drain-Source On-State RDS(on)  
Resistance (1)  
14  
Ω
Forward Transconductance  
(1)(2)  
gfs  
mS  
VDS=-18V,ID=-200mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
50  
25  
pF  
pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
VDS=-18V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer  
Capacitance (2)  
Crss  
8
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
8
8
8
8
ns  
ns  
ns  
ns  
VDD≈-18V, ID=-200mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
(2) Sample test.  
(
3
)
3-429  
Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
123

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