Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVP3306ASMTA

ZVP3306ASMTA

更新时间： 2024-01-07 08:53:02

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美台 - DIODES		/
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3页	86K
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZVP3306ASMTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.08	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.09 A
最大漏源导通电阻：	14 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVP3306ASMTA 数据手册

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVP3306A

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)=14Ω

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-60

-160

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-1.6

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

625

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

-60

I_D=-1mA, V_GS=0V

ID=-1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

-1.5

-3.5

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain

Current

-0.5

-50

V_DS=-60 V, V_GS=0

µA

V_DS=-48 V, V_GS=0V, T=125°C(2)

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

-400

V_DS=-18 V, V_GS=-10V

V_GS=-10V,I_D=-200mA

Static Drain-Source On-State R_DS(on)

Resistance (1)

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=-18V,I_D=-200mA

Input Capacitance (2)

C_iss

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-18V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈-18V, I_D=-200mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sample test.

(

)

3-429

Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

12 3

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