ZVN3310F

更新时间： 2024-09-12 22:06:23

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN3310F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
最大漏源导通电阻：	10 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN3310F 数据手册

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN3310F

ISSUE 3 – OCTOBER 1995

✪

FEATURES

100 Volt V_DS

R_DS(on)= 10Ω

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

ZVP3310F

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

100

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

330

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source

Breakdown Voltage

BV_DSS

100

I_D=1mA, V_GS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

0.8

2.4

I_D=1mA, V_DS= V_GS

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

_GS=± 20V, V_DS=0V

Zero Gate Voltage

Drain Current

_DS=100V, V_GS=0

_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

500

100

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V, I_D=500mA

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R_DS(on)

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=25V, I_D=500mA

Input Capacitance (2)

C_iss

Common Source

Output Capacitance (2)

C_oss

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance C_rss

(2)

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

3 typ

5 typ

4 typ

5 typ

_DD≈25V, I_D=500mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

3 - 396

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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