ZVN3310ASM

更新时间： 2024-02-10 21:24:06

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美台 - DIODES		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	83K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZVN3310ASM 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.07
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	10 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN3310ASM 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN3310A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

100 Volt V_DS

R_DS(on)= 10Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

100

200

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

I_DM

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

625

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

100

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.8

2.4

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

V_DS=100V, V_GS=0

µA

V_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

500

100

m A

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=500m A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te

Res is ta n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce(1)(2g _fs

)

m S

V_DS=25V,I_D=500m A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Ca p acita n ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

n s

t_r

V_DD≈25V, I_D=500m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

3-378

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN3310ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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