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ZVN3306FTC

更新时间： 2024-11-28 19:54:15

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捷特科 - ZETEX		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	93K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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ZVN3306FTC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.15 A
最大漏极电流 (ID)：	0.15 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	8 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN3306FTC 数据手册

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN3306F

ISSUE 3 – JANUARY 1996

FEATURES

_DS(on)= 5Ω

60 Volt V_DS

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

ZVP3306F

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

150

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

330

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source

Breakdown Voltage

BV_DSS

I_D=1mA, V_GS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

0.8

2.4

I_D=1mA, V_DS= V_GS

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

_GS=± 20V, V_DS=0V

Zero Gate Voltage

Drain Current

0.5

_DS=60V, V_GS=0V

_DS=48V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

750

150

V_DS=18V, V_GS=10V

V_GS=10V, I_D=500mA

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R_DS(on)

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

V_DS=18V, I_D=500mA

Input Capacitance (2)

C_iss

Common Source

Output Capacitance (2)

C_oss

V_DS=18V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance C_rss

(2)

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

3 typ

4 typ

5 typ

_DD≈18V, I_D=500mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

Spice parameter data is available upon request for this device

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ZVN3310ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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