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ZVN3306A

更新时间： 2024-11-29 14:55:11

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3页	51K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZVN3306A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	0.6	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	11595234
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical	Samacsys Footprint Name：	TO-92
Samacsys Released Date：	2020-05-10 06:56:42	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.27 A	最大漏极电流 (ID)：	0.27 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN3306A 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN3306A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DSon)=5Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

270

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

625

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

0.8

2.4

ID=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

0.5

V_DS=60V, V_GS=0

µA

V_DS=48V, V_GS=0V, T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

750

150

m A

V_DS=18V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=500m A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te

Res is ta n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce(1)(2g _fs

)

m S

V_DS=18V,I_D=500m A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=18V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Ca p acita n ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

n s

t_r

V_DD≈18V, I_D=500m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

3-375

(

2) Sam ple test.

12 3

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ZVN3306A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BS170FTA	DIODES	类似代替	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
MMBF170-7-F	DIODES	类似代替	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMG6968U-7	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

与ZVN3306A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN3306ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN3306ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN3306ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN3306ASTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN3306ASTZ	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN3306ASTZ	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN3306B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 750MA I(D) \| TO-39
ZVN3306D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| CHIP
ZVN3306DWP	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
ZVN3306E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 850MA I(D) \| DIP

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