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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZV-N-2S | OMRON |
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General-purpose Enclosed Switches with High Breaking Capacity and High Durability |
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| ZVN3306A | ZETEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN3306A | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZVN3306ASM | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN3306ASMTA | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN3306ASMTC | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN3306ASTOB | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN3306ASTZ | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN3306ASTZ | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN3306B | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-39 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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