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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVN2535D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | CHIP |
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| ZVN2535DWP | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| ZVN2535L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-220 |
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| ZV-N-2S | OMRON |
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General-purpose Enclosed Switches with High Breaking Capacity and High Durability |
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| ZVN3306A | ZETEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
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| ZVN3306A | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZVN3306ASM | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN3306ASMTA | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN3306ASMTC | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| ZVN3306ASTOB | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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