Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVN2535ASTOB

ZVN2535ASTOB

更新时间： 2024-11-25 13:16:19

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		/
页数	文件大小	规格书
3页	48K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZVN2535ASTOB 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.08
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	350 V
最大漏极电流 (ID)：	0.09 A	最大漏源导通电阻：	40 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN2535ASTOB 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN2535A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

350 Volt V_DS

R_DS(on)=35Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

350

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce

BV_{DS S}

350

I_D=1m A, V_GS=0V

Bre akd o w n Vo ltag e

Ga te-S o u rce

V_{GS (th )}

ID=1m A, V_DS= V_GS

Th res h o ld Vo ltag e

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e

Dra in Cu rre n t

400

V_DS=350V, V_GS=0

V_DS=280V, V_GS=0V,

T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

250

100

m A

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V,I_D=100m A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te

Res is ta n ce (1)

R_{DS (o n )}

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce (1)( g _fs

m S

V_DS=25V,I_D=100m A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Ca p acita n ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

n s

t_r

V_DD≈25V, I_D=100m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

t_{d (o ff)}

t_f

(

)

3-372

Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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