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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.02 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.32 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVN2110D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
|
| ZVN2110DWP | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
|
| ZVN2110E | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 320MA I(D) | TO-92 |
|
| ZVN2110G | ZETEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVN2110G | DIODES |
获取价格 |
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVN2110G/TA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET SOT-223 |
|
| ZVN2110GTA | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| ZVN2110GTC | ZETEX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| ZVN2110L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220 |
|
| ZV-N21-2 | OMRON |
获取价格 |
Long Service Life and Large Breaking Power |
|
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