ZVN2110C

更新时间： 2024-10-03 03:07:27

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN2110C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.27	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.32 A
最大漏极电流 (ID)：	0.32 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	8 pF
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

ZVN2110C 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 MARCH 94

ZVN2110C

FEATURES

100 Volt V_DS

R_DS(on)= 4Ω

E-Line

REFER TO ZVN2110A FOR GRAPHS

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

100

320

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

700

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

100

I_D=1mA, V_GS=0V

ID=1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

0.8

2.4

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain

Current

100

V_DS=100V, V_GS=0

V_DS=80V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

1.5

V_DS=25V, V_GS=10V

Static Drain-Source

On-State Resistance (1)

R_DS(on)

V_GS=10V,I_D=1A

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

250

V_DS=25V,I_D=1A

Input Capacitance (2)

C_iss

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=25 V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈25V, I_D=1A

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sample test.

(

)

3-367

Switching times measured with 50

Ω

source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

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