ZUMT717

更新时间： 2024-02-27 19:09:44

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捷特科 - ZETEX		晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
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描述
PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR

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ZUMT717 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	最大集电极电流 (IC)：	1.25 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	220 MHz

ZUMT717 数据手册

Super323 SOT323 PNP SILICON POWER

(SWITCHING) TRANSISTOR

ZUMT717

ISSUE 1 - SEPTEMBER 1998

FEATURES

500mW POWER DISSIPATION

I_CCONT 1.5A

3A Peak Pulse Current

Excellent H_FECharacteristics Up To 3A (pulsed)

Extremely Low Saturation Voltage

Extremely Low Equivalent On Resistance; R_CE(sat)

APPLICATIONS

Negative boost functions in DC-DC converters

Supply line switching in mobile phones and pagers

Motor drivers in camcorders and mini disk players

DEVICE TYPE

ZUMT717

COMPLEMENT

ZUMT617

PARTMARKING

T71

R_CE(sat)

150mΩat 1.25A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

-12

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current**

Continuous Collector Current

Base Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

I_C

-12

-5

-3

-1.25

-200

I_B

Power Dissipation at T_amb=25°C*

P_tot

385 †

500 ‡

Operating and Storage Temperature T_j:T_stg

Range

-55 to +150

°C

†

‡

Recommended P_totcalculated using FR4 measuring 10 x 8 x 0.6mm (still air).

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

size 25x25x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by other suppliers.

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