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ZUMT618TC

更新时间： 2024-01-22 09:09:27

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	122K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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ZUMT618TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	最大集电极电流 (IC)：	1.25 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	210 MHz
Base Number Matches：	1

ZUMT618TC 数据手册

Super323 SOT323 NPN SILICON

ZUMT618

POWER(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSUE 1 - SEPTEMBER 1998

FEATURES

500mW POWER DISSIPATION

I_CCONT 1.25A

3A Peak Pulse Current

Excellent H_FECharacteristics Up to 3A (pulsed)

Extremely Low Equivalent On Resistance; R_CE(sat)

APPLICATIONS

Corded telecoms.

Boost functions in DC-DC converters

Motor driver functions

DEVICE TYPE

ZUMT618

COMPLEMENT

ZUMT718

PARTMARKING

T62

R_CE(sat)

125mΩ at1.25A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current**

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

1.25

500

I_B

Power Dissipation at T_amb=25°C

P_tot

385 †

500 ‡

Operating and Storage Temperature T_j:T_stg

Range

-55 to +150

°C

†

‡

Recommended P_totcalculated using FR4 measuring 10 x 8 x 0.6mm (still air).

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

size 25x25x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by other suppliers.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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