ZUMT617TA

更新时间： 2024-01-22 04:57:53

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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描述
TRANSISTOR SOT-323

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ZUMT617TA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	最大关闭时间（toff）：	250 ns
Base Number Matches：	1

ZUMT617TA 数据手册

ZUMT617

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

V_(BR)CBO

MIN.

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage

I_C= 100µA

I_C= 10mA*

I_E= 100µA

V_CB= 10V

V_EB= 4V

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

Collector Emitter

Cut-Off Current

I_CES

V_CES= 10V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

16.5

I_C= 100mA, I_B=10mA*

I_C= 250mA, I_B= 10mA*

I_C= 500mA, I_B=10mA*

I_C= 1A, I_B=10mA*

100

200

245

150

205

I_C= 1.5A, I_B=20mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

930

1100

I_C= 1.5A, I_B=20mA*

Base-Emitter Turn-On V_BE(on)

Voltage

865

1100

I = 1.5A, V_CE= 2V*

Static Forward

Current Transfer

Ratio

h_FE

200

300

250

200

420

450

390

300

150

I_C= 10mA, V_CE= 2V*

I_C= 100mA, V_CE= 2V*

I_C= 500mA, V_CE=2V*

I_C= 1A, V_CE=2 V*

I_C= 3A, V_CE=2V*

I_C=5A, V_CE= 2V*

Transition

Frequency

f_T

180

MHz

I_C= 50mA, V_CE= 10V

f= 100MHz

Output Capacitance

Turn-On Time

C_obo

t_(on)

t_(off)

V_CB= 10V, f=1MHz

V_CC= 10V, I_C= 1A

I_B1=I_B2=100mA

Turn-Off Time

250

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

123

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