ZUMT617TA

更新时间： 2025-07-09 23:35:59

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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描述
TRANSISTOR SOT-323

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ZUMT617TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
最大关闭时间（toff）：	250 ns	Base Number Matches：	1

ZUMT617TA 数据手册

Super323 SOT323 NPN SILICON POWER

ZUMT617

(SWITCHING) TRANSISTOR

ISSUE 1 - SEPTEMBER 1998

FEATURES

500mW POWER DISSIPATION

I_CCONT 1.5A

5A Peak Pulse Current

Excellent H_FECharacteristics Up To 5A (pulsed)

Extremely Low Equivalent On Resistance; R_CE(sat)

APPLICATIONS

DC-DC converter boost functions

Motor drive functions

DEVICE TYPE

ZUMT617

COMPLEMENT

ZUMT717

PARTMARKING

T61

R_CE(sat)

135mΩ at 1.5A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current**

Continuous Collector Current

Base Current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

I_C

1.5

200

I_B

Power Dissipation at T_amb=25°C*

P_tot

385 †

500 ‡

Operating and Storage Temperature T_j:T_stg

Range

-55 to +150

°C

†

‡

Recommended P_totcalculated using FR4 measuring 10 x 8 x 0.6mm (still air).

Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4

size 25x25x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by other suppliers.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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