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ZUMT5179

更新时间： 2024-02-02 08:18:49

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描述
NPN SILICON PLANAR HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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ZUMT5179 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.4	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	900 MHz
Base Number Matches：	1

ZUMT5179 数据手册

SOT323 NPN SILICON PLANAR

HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

ZUMT5179

ISSUE 1- NOVEMBER 1998

FEATURES

High f_T=900MHz Min

Max capacitance=1pF

Low noise 4.5dB

PARTMARKING DETAIL - T6

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

2.5

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

°C

P_tot

330

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT CONDITIONS.

Collector-Emitter Sustaining V_CEO(SUS)

Voltage

2.5

I_C= 3mA, I_B=0

I_C= 1µA, I_E=0

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=15V, I_E=0

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off

Current

0.02

1.0

µA

V_CB=15V, I_E=0, T_amb=150°C

Static Forward Current

Transfer Ratio

h_FE

250

0.4

1.0

I_C=3mA, V_CE=1V

I_C=10mA, I_B=1mA

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Base-Emitter

Saturation Voltage

Transition Frequency

f_T

900

2000

MHz I_C=5mA, V_CE=6V, f=100MHz

Collector-Base Capacitance

Small Signal Current Gain

C_cb

h_fe

I_E=0, V_CB=10V, f=1MHz

300

I_C=2mA, V_CE=6V, f=1KHz

I_E=2mA, V_CB=6V, f=31.9MHz

Collector Base Time Constant rb’C_c

Noise Figure

N_F

4.5

I_C=1.5mA, V_CE=6V

R_S=50Ω, f=200MHz

Common-Emitter Amplifier

Power Gain

Gpe

I_C=5mA, V_CE=6V

f=200MHz

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