ZTX968STZ

更新时间： 2024-11-21 13:01:07

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美台 - DIODES		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	102K
描述
Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX968STZ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.13
最大集电极电流 (IC)：	4.5 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	85 MHz
Base Number Matches：	1

ZTX968STZ 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 2 JUNE 94

ZTX968

FEATURES

4.5 Amps continuous current

Up to 20 Amps peak current

Very low saturation voltage

High gain

Spice model available

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-15

-12

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-6

Peak Pulse Current

-20

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

-4.5

P_totp

P_tot

1.58

°C

1.2

T_j:T_stg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

-15

-12

-6

-28

-20

-8

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector-Emitter Breakdown V_(BR)CEO

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)EBO

Collector Cut-Off Current

I_CBO

-50

-1

µA

_CB=-12V

V_CB=-12V, T_amb=100°C

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

-10

V_EB=-6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-50

-100

-220

-100

-150

-300

I_C=-500mA, I_B=-5mA*

I_C=-2A, I_B=-50mA*

I_C=-5A, I_B=-200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-930

-1050 mV

I_C=-5A, I_B=-200mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

V_BE(on)

-830

-1000 mV

IC=-5A, V_CE=-1V*

3-333

12 3

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ZTX968STZ 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX968	DIODES	类似代替	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
FZT968TA	DIODES	功能相似	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4

与ZTX968STZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTY	AURIS	获取价格	Resonator SMD, 2 Pin
Z-U	TDK	获取价格	附件
ZU101103M070	WALSIN	获取价格	Class II HI-K Class II ZU (Z5U), 0.01uF, +/-20%, 100Vdc
ZU101222M040	WALSIN	获取价格	Class II HI-K Class II ZU (Z5U), 2200pF, +/-20%, 100Vdc
ZU101272M040	WALSIN	获取价格	Class II HI-K Class II ZU (Z5U), 2700pF, +/-20%, 100Vdc
ZU101332M040	WALSIN	获取价格	Class II HI-K Class II ZU (Z5U), 3300pF, +/-20%, 100Vdc
ZU101362M040	WALSIN	获取价格	Class II HI-K Class II ZU (Z5U), 3600pF, +/-20%, 100Vdc
ZU101392M040	WALSIN	获取价格	Class II HI-K Class II ZU (Z5U), 3900pF, +/-20%, 100Vdc
ZU101472M040	WALSIN	获取价格	Class II HI-K Class II ZU (Z5U), 4700pF, +/-20%, 100Vdc
ZU101502M050	WALSIN	获取价格	Class II HI-K Class II ZU (Z5U), 5000pF, +/-20%, 100Vdc

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