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ZTX958STZ

更新时间： 2025-01-18 12:58:31
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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ZTX958STZ 数据手册

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH CURRENT TRANSISTOR  
ISSUE 3 – JUNE 94  
ZTX958  
FEATURES  
*
*
*
*
*
0.5 Amp continuous current  
Up to 1.5 Amps peak current  
Very low saturation voltage  
Excellent gain characteristics up to 1 Amp  
Spice model available  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-400  
-400  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-6  
V
Peak Pulse Current  
-1.5  
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-0.5  
A
Ptotp  
Ptot  
1.58  
W
W
°C  
1.2  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
-400  
-400  
-400  
-6  
-600  
-600  
-550  
-8  
V
V
V
V
IC=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown V(BR)CER  
Voltag  
IC=-1µA, RB ≤1KΩ  
IC=-10mA*  
Collector-Emitter Breakdown V(BR)CEO  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)EBO  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICBO  
-50  
-1  
nA  
µA  
VCB=-300V  
VCB=-300V, Tamb=100°C  
ICER  
R ≤1KΩ  
-50  
-1  
nA  
µA  
VCB=-300V  
VCB=-300V, Tamb=100°C  
IEBO  
-10  
nA  
VEB=-6V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-100  
-150  
-300  
-150  
-200  
-400  
mV  
mV  
mV  
IC=-10mA, IB=-1mA*  
IC=-100mA, IB=-10mA*  
IC=-500mA, IB=-100mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-790  
-900  
mV  
IC=-500mA, IB=-100mA*  
3-330  
123

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