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ZTX957STOB

更新时间： 2024-12-10 19:40:47

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	82K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX957STOB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	85 MHz	VCEsat-Max：	0.2 V
Base Number Matches：	1

ZTX957STOB 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH CURRENT TRANSISTOR

ISSUE 3 JUNE 94

ZTX957

FEATURES

1 Amp continuous current

Up to 2 Amps peak current

Very low saturation voltage

Excellent gain characteritics up to 1 Amp

Spice model available

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-330

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-300

-6

Peak Pulse Current

-2

-1

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_totp

P_tot

1.58

°C

1.2

T_j:T_stg

-55 to +200

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C unless otherwise stated)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

-330

-300

-6

-440

-400

-8

I_C=-100µA

Collector-Emitter Breakdown V_(BR)CER

Voltag

IC=-1µA, RB ≤1KΩ

I_C=-10mA*

Collector-Emitter Breakdown V_(BR)CEO

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)EBO

I_E=-100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

-50

-1

µA

V_CB=-300V

V_CB=-300V, T_amb=100°C

I_CER

R ≤1KΩ

-50

-1

µA

V_CB=-300V

V_CB=-300V, T_amb=100°C

I_EBO

-10

V_EB=-6V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-60

-100

-140

-100

-150

-200

I_C=-100mA, I_B=-10mA*

I_C=-500mA, I_B=-100mA*

I_C=-1A, I_B=-300mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-870

-1000 mV

I_C=-1A, I_B=-300mA*

3-327

12 3

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