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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> ZTX956SMTA
ZTX956SMTA PDF预览

ZTX956SMTA

更新时间： 2024-10-02 13:00:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX956SMTA 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.15
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：110 MHzBase Number Matches：1

ZTX956SMTA 数据手册

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH CURRENT TRANSISTOR  
ISSUE 3 – JUNE 94  
ZTX956  
FEATURES  
*
*
*
*
*
2 Amps continuous current  
Up to 5 Amps peak current  
Very low saturation voltage  
Excellent gain characteristics up to 2 Amps  
Spice model available  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-220  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-200  
V
-6  
V
Peak Pulse Current  
-5  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
A
Ptotp  
Ptot  
1.58  
W
W
°C  
1.2  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CER  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-220  
-220  
-200  
-6  
-300  
-300  
-240  
-8  
V
V
V
V
IC=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltag  
IC=-1µA, RB ≤1KΩ  
IC=-10mA*  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
-50  
-1  
nA  
µA  
VCB=-200V  
VCB=-200V, Tamb=100°C  
ICER  
R ≤1KΩ  
-50  
-1  
nA  
µA  
VCB=-200V  
VCB=-200V, Tamb=100°C  
IEBO  
-10  
nA  
VEB=-6V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-30  
-110  
-150  
-50  
-150  
-250  
mV  
mV  
mV  
IC=-100mA, IB=-10mA*  
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-2A, IB=-400mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-920  
-1050 mV  
IC=-2A, IB=-400mA  
3-324  
123

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