ZTX755

更新时间： 2024-11-20 22:18:51

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管局域网
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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ZTX755 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.16	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	20 pF	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

ZTX755 数据手册

PNP SILICON PLANAR

ZTX754

ZTX755

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 2 JULY 94

FEATURES

150 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

Low saturation voltage

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX754

-125

ZTX755

-150

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-125

-150

-5

-2

-1

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +200

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

ZTX754

ZTX755

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-125

-5

-150

-5

I_C=-100µA, I_E=0

I_C=-10mA, I_B=0*

I_E=-100µA, I_C=0

V_CB=-100V, I_E=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

-100

V_CB=-125V, I_E=0

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

V_EB=-3V, I_C=0

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.5

I_C=-500mA, I_B=-50mA*

I_C=-1A, I_B=-200mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

-1.1

I_C=-500mA, I_B=-50mA*

Base-Emitter Turn-On V_BE(on)

Voltage

-1.0

IC=-500mA, V_CE=-5V*

Static Forward

Current Transfer Ratio

h_FE

I_C=-10mA, V_CE=-5V

I_C=-500mA, V_CE=-5V*

I_C=-1A, V_CE=-5V*

Transition Frequency f_T

Output Capacitance C_obo

MHz

I_C=-10mA, V_CE=-20V

f=20MHz

V_CB=-20V, f=1MHz

3-263

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